固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而简化了 SSR 设计。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，在MOSFET关断期间，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以满足各种应用和作环境的特定需求。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

供暖、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，通风和空调 （HVAC） 设备、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。